固態去耦合器是油氣管道、儲罐等金屬構筑物陰極保護系統中的關鍵設備，其核心功能之一是
“選擇性(xing)排流”—— 即在不(bu)影響陰極保護(hu)(hu)系統正常(chang)運行的前提下，快速排除危(wei)害(hai)構筑物的雜散電(dian)流、過電(dian)壓等有害(hai)能量，從而(er)保護(hu)(hu)絕(jue)緣接頭、管道本體及相關設備。以下從排流對象、原理及優勢(shi)三方面解析其排流作用：
固(gu)態去耦(ou)合器的(de)排流作用(yong)主要針(zhen)對金(jin)屬構筑(zhu)物在運行中可能遭遇的(de)三類(lei)有害能量，這些能量若(ruo)不(bu)及時(shi)排除(chu)，會導(dao)致管道腐(fu)蝕(shi)加速、絕緣接頭擊穿或設(she)備損壞：
直流雜散電流
來源：附近(jin)電(dian)(dian)氣化(hua)鐵(tie)路（地(di)鐵(tie)、輕軌）的泄漏電(dian)(dian)流、電(dian)(dian)化(hua)學工(gong)廠（如電(dian)(dian)解槽）的接(jie)地(di)電(dian)(dian)流等(deng)。
危害：當雜散(san)電(dian)流(liu)流(liu)入(ru)管道時(shi)，會在流(liu)入(ru)點形(xing)成 “陰極區(qu)”（受(shou)保護(hu)），但(dan)在流(liu)出點形(xing)成 “陽極區(qu)”，導致該區(qu)域發生(sheng)強烈的電(dian)化(hua)學腐蝕(shi)（“雜散(san)電(dian)流(liu)腐蝕(shi)”），短期內可造成管道穿孔。
排流需求：需在管道(dao)與大地(di)間建立 “單向或(huo)雙向導(dao)通(tong)通(tong)道(dao)”，將多余的直流(liu)雜散電流(liu)安全導(dao)入大地(di)，避(bi)免(mian)其在管道(dao)內(nei)形成環(huan)流(liu)。
交流雜散電流
來源：高(gao)壓(ya)輸電(dian)(dian)線路的電(dian)(dian)磁感(gan)應（感(gan)性耦合(he)(he)）、鄰(lin)近交流接(jie)地系統的電(dian)(dian)位傳導（阻(zu)性耦合(he)(he)）等，常見于輸油(you)管道與高(gao)壓(ya)電(dian)(dian)網(wang)并行的場景。
危害：長期流(liu)過管道的交流(liu)電流(liu)會導致 “交流(liu)腐(fu)蝕”（加速金屬氧化），同時過高的交流(liu)電壓（如超過 15V）可能危(wei)及運(yun)維人員安(an)全。
排流需求：需快速導通(tong)交流電(dian)流（雙向(xiang)），降(jiang)低管(guan)道對地(di)交流電(dian)壓至安全(quan)范圍（通(tong)常≤50V）。
過電壓（雷電、操作過電壓）
來源：雷電(dian)(dian)擊中管(guan)道或附近設施產(chan)生(sheng)的沖擊電(dian)(dian)壓、電(dian)(dian)網開關(guan)操作產(chan)生(sheng)的瞬時過電(dian)(dian)壓。
危害：過電(dian)(dian)壓可能擊穿管道與其他設備間(jian)的絕緣接頭（或絕緣法蘭），導(dao)致陰極保護系統(tong)失效，甚至損(sun)壞關聯(lian)電(dian)(dian)器(qi)設備。
排流需求：需在毫秒級時間內導通，將過電壓能量泄(xie)放入地，保護絕(jue)緣部件不被擊(ji)穿。
固態去耦合器通(tong)過內部半導體器件（如晶閘管、MOV 壓敏電阻等）的(de)特(te)性，實(shi)現對有(you)害能(neng)量(liang)的(de)選擇性排流，核心邏輯是 **“平時(shi)絕緣、需時(shi)導通(tong)”**：
常態下（無有害能量時）
固態去耦合器呈現高絕緣電阻（通(tong)常≥100MΩ），相當于 “斷(duan)路” 狀(zhuang)態。
此時，陰極保護系統（如外(wai)加(jia)電(dian)(dian)(dian)流或犧牲(sheng)陽極）產生的保護電(dian)(dian)(dian)流可正常作(zuo)用(yong)于管(guan)道（保護電(dian)(dian)(dian)流需管(guan)道與大地間保持絕緣才能有(you)效建立電(dian)(dian)(dian)位），不(bu)會(hui)通過去(qu)耦合(he)(he)器泄(xie)漏，確(que)保管(guan)道處于合(he)(he)理的保護電(dian)(dian)(dian)位（-0.85V~-1.2V，相對 Cu/CuSO?電(dian)(dian)(dian)極）。
出現有害能量時（達到觸發閾值）
當管道與大地間的電壓（或電流）超過設定閾值（如直流雜散電流導致的電壓＞5V、交流電壓＞30V、雷電沖擊電壓＞500V），內部半導體器件迅速導通（響應時間通常＜1μs），呈現低阻抗（通(tong)常＜1Ω）。
此時，雜散電流(liu)(liu)或過電壓能量(liang)通(tong)過去耦合器的低阻(zu)通(tong)道快速流(liu)(liu)向大地(di)（或接地(di)極），實(shi)現 “排流(liu)(liu)”。
排流后恢復
當(dang)有(you)害能量消失（電壓(ya) / 電流降至閾值以下），半(ban)導體器件自(zi)動關斷，恢復高阻狀態，不影響陰極(ji)保護系(xi)統的正常運行。
